1995/09-2001/06 國立台灣大學光電工程研究所博士
1991/09-1995/06 國立台灣大學電機工程學系學士
近年來材料與元件之發展已進入原子尺度的範圍,原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)技術可精確控制單一原子層厚度之薄膜,為現今最先進之奈米材料製備技術之一。ALD技術具有許多獨特的優點,例如:原子級精密厚度與材料成份之控制、極高的表面覆蓋能力、極高的均勻度、低缺陷密度、良好的界面品質、製程穩定度與重複度高、以及材料沉積溫度較低等等。本實驗室專注於ALD技術及其廣泛的應用,研究開發奈米電子、奈米表面電漿子、以及奈米光電之材料與元件, 並探討在原子尺度的材料和元件之特性與物理。
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2001/07-2004/07 中央研究院 應用科學研究中心 博士後研究