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硬碟片之磁性記錄薄膜研究
磁記錄薄膜材料:
研究方向:
一、高頑磁力顆粒狀複合材料磁記錄薄膜之開發
在磁記錄領域,如何提昇磁記錄媒體之記錄密度長久以來一直是最重要的課題;而作為高記錄密度媒體之材料,則必需具有高的頑磁力Hc以及適當的殘餘磁化量Mr。在各式各樣的磁記錄裝置中,硬式磁碟是應用在個人電腦以及工作站最普遍的周邊設備,也是市場最大的;而目前硬式磁碟中最普遍使用的記錄媒體則為CoCrPtM(M=
B,Ni,Ta,W)系合金薄膜,其頑磁力Hc > 2800 Oe;但它們皆為金屬薄膜,在未來更高記錄密度需求下尚有以下之缺點: (1).記錄媒體雜訊高, (2).頑磁力太低,以致記錄密度很難提升。
對於這些金屬薄膜而言,最明顯的問題在於:位於磁區轉換區中的晶粒之間的磁交換耦合所產生的雜訊,連續性金屬薄膜的晶粒之間因缺乏足夠的間隔,所以即使晶粒尺寸能下降至單磁區尺寸,也會因為晶粒之間的磁交換耦合過強,而導致雜訊過多以致讀取失敗,造成讀寫過程的不可信賴。 為了改善目前鈷基合金薄膜在未來更高記錄密度需求下,其頑磁力不足和媒體雜訊過高的缺點,我們將研究具有獨立不連通的高頑磁力之磁性粒子(如:FePt, CoPt, SmCo,等)散布在非磁性(如:Si3N4, Al2O3, BN, AlN, ZrO2,等)之基地的顆粒狀薄膜來當做磁性記錄媒體。
研究成果:
高頑磁力FePt-Si3N4顆粒狀複合材料薄膜之製造
圖一、初鍍 (FePt)80-(Si3N4)20薄膜的TEM明視野照片和電子繞射圖。 (a)為初鍍明視野照片,其中網狀結構是因為Si3N4包圍在FePt晶粒周圍所致。 (b)為初鍍TEM電子繞射圖,可看出此膜為fcc結構之g-FePt相。
圖二、(a)經過750℃,30分鐘退火後之(FePt)70-(Si3N4)30薄膜的TEM 明視野照片 (b)為其TEM電子繞射圖,可看出此膜為fct結構之g1-FePt相圖。 (c)(FePt)70-(Si3N4)30薄膜經750 ℃退火30分鐘然後冰水淬火之 M-H loop,其外加磁場平行於膜面方向。
二、垂直磁性記錄薄膜研究
(a)連續性FePtCr金屬薄膜MgO/FePtCr,Cr/FePtCr…..
(b)不連續顆粒狀FePtCr-SiN薄膜MgO/FePtCr-SiN,Cr/FePtCr-SiN…..
(2)Ferromagnetic coupling 的FePtCr/CoTb及FePtCr-SiN/CoTb雙層薄膜
(a) FePtCr薄膜
(b) FePtCr-SiN顆粒狀薄膜
研究成果: Cr/Pt/FePt多層膜:
Cross-section TEM
X-ray繞射圖 磁滯曲線
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